Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT10M11JVRU2
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
1961770APT10M11JVRU2 piltMicrosemi

APT10M11JVRU2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$27.075
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT10M11JVRU2
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 71A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    450W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Muud nimed
    APT10M11JVRU2MI
    APT10M11JVRU2MI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    32 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8600pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    142A (Tc)
APT11F80B

APT11F80B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60L

APT102GA60L

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11F80S

APT11F80S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20BG

APT100S20BG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi