Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > APT100S20BG
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5337532APT100S20BG piltMicrosemi

APT100S20BG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$7.71
30+
$6.323
120+
$5.706
510+
$4.781
1020+
$4.164
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100S20BG
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    950mV @ 100A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    200V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    70ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-2
  • Muud nimed
    APT100S20BGMI
    APT100S20BGMI-ND
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    26 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Schottky 200V 120A Through Hole TO-247 [B]
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    2mA @ 200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    120A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100M50J

APT100M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60L

APT102GA60L

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi