Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT100GT120JR
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
3753935APT100GT120JR piltMicrosemi

APT100GT120JR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
20+
$43.06
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100GT120JR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 123A 570W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 100A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    Thunderbolt IGBT®
  • Võimsus - maks
    570W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    6.7nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    123A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT100GF60JU2

APT100GF60JU2

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20BG

APT100S20BG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120J

APT100GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 600V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Kirjeldus: POWER MODULE - IGBT

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100F50J

APT100F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100M50J

APT100M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi