Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT100GF60JU2
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6007052APT100GF60JU2 piltMicrosemi

APT100GF60JU2

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100GF60JU2
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 120A 416W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    416W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Muud nimed
    APT100GF60JU2MI
    APT100GF60JU2MI-ND
  • Töötemperatuur
    -
  • NTC termistor
    Yes
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    12.3nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 600V 120A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    250µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    120A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100DL60BG

APT100DL60BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 100A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10078SLLG

APT10078SLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100DL60HJ

APT100DL60HJ

Kirjeldus: MOD DIODE 600V SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100F50J

APT100F50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 103A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10078BLLG

APT10078BLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GF60JU3

APT100GF60JU3

Kirjeldus: IGBT 600V 120A 416W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10045JLL

APT10045JLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10090BLLG

APT10090BLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10090BFLLG

APT10090BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GLQ65JU2

APT100GLQ65JU2

Kirjeldus: POWER MODULE - IGBT

Tootjad: Microsemi
Laos
APT1003RKLLG

APT1003RKLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120J

APT100GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi