Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT100GT60JR
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
4897181APT100GT60JR piltMicrosemi

APT100GT60JR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$21.519
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT100GT60JR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 148A 500W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 100A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    Thunderbolt IGBT®
  • Võimsus - maks
    500W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Muud nimed
    APT100GT60JRMI
    APT100GT60JRMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    5.15nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 600V 148A 500W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    25µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    148A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT102GA60L

APT102GA60L

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100M50J

APT100M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU3

APT100GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN60B2G

APT100GN60B2G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 229A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120JDQ4

APT100GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20BG

APT100S20BG

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JR

APT100GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120J

APT100GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 153A 446W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JU2

APT100GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 140A 480W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 123A 570W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Kirjeldus: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT100GN120B2G

APT100GN120B2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 245A 960W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi