Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT11F80S
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5641442APT11F80S piltMicrosemi

APT11F80S

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT11F80S
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D3Pak
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    337W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2471pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 12A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Kirjeldus: IGBT 600V 41A 187W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11F80B

APT11F80B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi