Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > APT10SCD120B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
30402APT10SCD120B piltMicrosemi

APT10SCD120B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT10SCD120B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.8V @ 10A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1200V
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Kiirus
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    0ns
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-2
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Silicon Carbide Schottky
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Silicon Carbide Schottky 1200V 36A (DC) Through Hole TO-247
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    36A (DC)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    600pF @ 0V, 1MHz
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10DC120HJ

APT10DC120HJ

Kirjeldus: DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11F80S

APT11F80S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT102GA60L

APT102GA60L

Kirjeldus: IGBT 600V 183A 780W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Kirjeldus: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11F80B

APT11F80B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Kirjeldus: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

Kirjeldus: IGBT 600V 41A 187W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi