Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT45GR65B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
4205793APT45GR65B piltMicrosemi

APT45GR65B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$6.75
10+
$6.024
30+
$5.422
120+
$4.94
270+
$4.458
510+
$4.00
1020+
$3.374
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT45GR65B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 650V 92A 357W TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    650V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Testimise tingimus
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    15ns/100ns
  • Switching Energy
    900µJ (on), 580µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    357W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    28 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Väravad
    203nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    168A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    92A
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45M100J

APT45M100J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Kirjeldus: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT47M60J

APT47M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Kirjeldus: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120J

APT45GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44F80L

APT44F80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60B

APT44GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43M60L

APT43M60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47F60J

APT47F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44F80B2

APT44F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi