Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT45M100J
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5642519APT45M100J piltMicrosemi

APT45M100J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT45M100J
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180 mOhm @ 33A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    960W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Muud nimed
    APT45M100JMI
    APT45M100JMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    18500pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    570nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 45A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    45A (Tc)
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT48M80B2

APT48M80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 48A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N65SCS3G

APT47N65SCS3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B

APT45GR65B

Kirjeldus: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47F60J

APT47F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT48M80L

APT48M80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 48A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120J

APT45GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47N65BC3G

APT47N65BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Kirjeldus: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Kirjeldus: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT47M60J

APT47M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi