Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT44GA60B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5145492APT44GA60B piltMicrosemi

APT44GA60B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT44GA60B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 78A 337W TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 26A
  • Testimise tingimus
    400V, 26A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    16ns/84ns
  • Switching Energy
    409µJ (on), 258µJ (off)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247 [B]
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Võimsus - maks
    337W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Väravad
    128nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT PT 600V 78A 337W Through Hole TO-247 [B]
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    130A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    78A
APT44F80B2

APT44F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT42F50B

APT42F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 42A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43M60L

APT43M60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43GA90BD30

APT43GA90BD30

Kirjeldus: IGBT 900V 78A 337W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44F80L

APT44F80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43GA90B

APT43GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 78A 337W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B

APT45GR65B

Kirjeldus: IGBT 650V 92A 357W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43F60B2

APT43F60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Kirjeldus: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Tootjad: Microsemi
Laos
APT42F50S

APT42F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 42A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43F60L

APT43F60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Kirjeldus: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT45GP120J

APT45GP120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT43M60B2

APT43M60B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 45A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi