Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5807
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5085916

JAN1N5807

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5807
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    875mV @ 4A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    50V
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    30ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    B, Axial
  • Muud nimed
    1086-2123
    1086-2123-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 50V 6A Through Hole
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    5µA @ 50V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    6A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5802

JAN1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5806

JAN1N5806

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5816

JAN1N5816

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5809

JAN1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5814

JAN1N5814

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5804

JAN1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5772

JAN1N5772

Kirjeldus: TVS DIODE 10CFLATPACK

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5811

JAN1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi