Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5804US
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6334632JAN1N5804US piltMicrosemi

JAN1N5804US

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5804US
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    975mV @ 2.5A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    100V
  • Pakkuja seadme pakett
    D-5A
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    25ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    SQ-MELF, A
  • Muud nimed
    1086-2120
    1086-2120-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 100V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 100V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    2.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    25pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5809

JAN1N5809

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5811

JAN1N5811

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5806

JAN1N5806

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5804

JAN1N5804

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Kirjeldus: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Kirjeldus: TVS DIODE 111V 179V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5802

JAN1N5802

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5807

JAN1N5807

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5772

JAN1N5772

Kirjeldus: TVS DIODE 10CFLATPACK

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi