Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT85GR120J
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6275259APT85GR120J piltMicrosemi

APT85GR120J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$35.54
10+
$32.871
30+
$30.205
100+
$28.073
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT85GR120J
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Pakkuja seadme pakett
    SOT-227
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    543W
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    8.4nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    NPT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    1mA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    116A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT84M50L

APT84M50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84F50B2

APT84F50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80SM120J

APT80SM120J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84M50B2

APT84M50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT95GR65B2

APT95GR65B2

Kirjeldus: IGBT 650V 208A 892W T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120L

APT85GR120L

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT94N60L2C3G

APT94N60L2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 94A TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80M60J

APT80M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84F50L

APT84F50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT94N65B2C6

APT94N65B2C6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80SM120S

APT80SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8M80K

APT8M80K

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT90DR160HJ

APT90DR160HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.6V SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT94N65B2C3G

APT94N65B2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 94A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8DQ60KCTG

APT8DQ60KCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GP60J

APT80GP60J

Kirjeldus: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80SM120B

APT80SM120B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8M100B

APT8M100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi