Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT80SM120B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
3277990

APT80SM120B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT80SM120B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    POWER MOSFET - SIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (max)
    +25V, -10V
  • Tehnoloogia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 40A, 20V
  • Voolukatkestus (max)
    555W (Tc)
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    235nC @ 20V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    20V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1200V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1200V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)
APT80SM120J

APT80SM120J

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84M50L

APT84M50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120J

APT85GR120J

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120JD60

APT85GR120JD60

Kirjeldus: IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84F50B2

APT84F50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

Kirjeldus: IGBT 900V 145A 625W TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GA60LD40

APT80GA60LD40

Kirjeldus: IGBT 600V 143A 625W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80F60J

APT80F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8024LLLG

APT8024LLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8024LFLLG

APT8024LFLLG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT84M50B2

APT84M50B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120B2

APT85GR120B2

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT84F50L

APT84F50L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80M60J

APT80M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80SM120S

APT80SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GA90B

APT80GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 145A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT85GR120L

APT85GR120L

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 962W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GA60B

APT80GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 143A 625W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT8075BN

APT8075BN

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT80GP60J

APT80GP60J

Kirjeldus: IGBT 600V 151A 462W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi