Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > EPC2029
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
2908954EPC2029 piltEPC

EPC2029

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$4.563
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2029
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 12mA
  • Vgs (max)
    +6V, -4V
  • Tehnoloogia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 30A, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-1107-2
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1410pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    80V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 80V 48A (Ta) Surface Mount Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    48A (Ta)
EPC2032

EPC2032

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024ENGR

EPC2024ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030

EPC2030

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024

EPC2024

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 60A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2025ENGR

EPC2025ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031

EPC2031

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024ENG

EPC2024ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023

EPC2023

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2025

EPC2025

Kirjeldus: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGRT

EPC2029ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023ENGR

EPC2023ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2022ENGRT

EPC2022ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023ENG

EPC2023ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2032ENGR

EPC2032ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2022

EPC2022

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi