Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > EPC2024ENG
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
185219EPC2024ENG piltEPC

EPC2024ENG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
100+
$8.048
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2024ENG
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - test
    2100pF @ 20V
  • Pinge - jaotus
    Die
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5 mOhm @ 37A, 5V
  • Tehnoloogia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seeria
    eGaN®
  • RoHS staatus
    Tray
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60A (Ta)
  • Polarisatsioon
    Die
  • Muud nimed
    917-EPC2024ENG
    EPC2024ENGRC3
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Tootja Partii number
    EPC2024ENG
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    19nC @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5V @ 19mA
  • FET funktsioon
    N-Channel
  • Laiendatud kirjeldus
    N-Channel 40V 60A (Ta) Surface Mount Die
  • Vooluallikas (Vdss)
    -
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    40V
  • Mahutite suhe
    -
EPC2022

EPC2022

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2020ENGR

EPC2020ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023

EPC2023

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2021ENGR

EPC2021ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2021

EPC2021

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2022ENGRT

EPC2022ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2025ENGR

EPC2025ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023ENGR

EPC2023ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031

EPC2031

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2021ENG

EPC2021ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030

EPC2030

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGRT

EPC2029ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024

EPC2024

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 60A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2024ENGR

EPC2024ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029

EPC2029

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2023ENG

EPC2023ENG

Kirjeldus: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2025

EPC2025

Kirjeldus: TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi