Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W9712G6KB25I
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5832279W9712G6KB25I piltWinbond Electronics Corporation

W9712G6KB25I

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
209+
$2.628
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W9712G6KB25I
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    84-TFBGA (8x12.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    84-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 400ps 84-TFBGA (8x12.5)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps
W971GG6KB-25

W971GG6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9712G6KB-25 TR

W9712G6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9712G6KB-25

W9712G6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG8KB-25

W971GG8KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6KB25I

W971GG6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6SB25I TR

W971GG6SB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6KB-18 TR

W971GG6KB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6KB25I TR

W971GG6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6SB-25 TR

W971GG6SB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG8JB-25

W971GG8JB-25

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9712G6KB25I TR

W9712G6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG8KB25I

W971GG8KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG8JB25I

W971GG8JB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6KB-25 TR

W971GG6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6SB-18 TR

W971GG6SB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6SB25I

W971GG6SB25I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG8KB-25 TR

W971GG8KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W971GG6KB-18

W971GG6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi