Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPC8018-H(TE12LQM)
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5747184

TPC8018-H(TE12LQM)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TPC8018-H(TE12LQM)
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2265pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta)
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8038-H(TE12L,Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8042(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8033-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8035-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
TPC7.5HM3/87A

TPC7.5HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8032-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC7.5HM3/86A

TPC7.5HM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
TPC8.2AHM3/86A

TPC8.2AHM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8036-H(TE12L,QM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3_A/H

Kirjeldus: TVS DIODE SMPC TO-277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi