Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG21M R3G
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6060714BYG21M R3G piltTSC (Taiwan Semiconductor)

BYG21M R3G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1800+
$0.095
3600+
$0.086
5400+
$0.081
12600+
$0.074
45000+
$0.069
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG21M R3G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.6V @ 1.5A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-214AC (SMA)
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    120ns
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    DO-214AC, SMA
  • Muud nimed
    BYG21M R3GTR
    BYG21M R3GTR-ND
    BYG21MR3GTR
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -55°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Avalanche
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    1.5A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    13pF @ 4V, 1MHz
BYG21M-E3/TR

BYG21M-E3/TR

Kirjeldus:

Tootjad: VISHAY
Laos
BYG21M M2G

BYG21M M2G

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
BYG21K-M3/TR3

BYG21K-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21KHE3_A/I

BYG21KHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21MHE3/TR

BYG21MHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
BYG21KHE3/TR3

BYG21KHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
BYG21MHE3/TR3

BYG21MHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
BYG21KHE3_A/H

BYG21KHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21MHE3_A/H

BYG21MHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21M-E3/TR3

BYG21M-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21M-M3/TR3

BYG21M-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21MHE3_A/I

BYG21MHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21KHM3/TR

BYG21KHM3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
BYG21KHE3/TR

BYG21KHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
BYG21KHM3_A/I

BYG21KHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21KHM3_A/H

BYG21KHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21M-M3/TR

BYG21M-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21M/54

BYG21M/54

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
BYG21MHM2G

BYG21MHM2G

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 1.5A DO214AC

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi