Kodu > Tooted > Optoelektroonika > Infrapuna-, UV- ja nähtav kiirgustihedus > GL4800
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
2943637

GL4800

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GL4800
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Lainepikkus
    950nm
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.2V
  • Vaatenurk
    60°
  • Tüüp
    Infrared (IR)
  • Seeria
    -
  • Radiatiivne intensiivsus (Ie) Min @ If
    -
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    Radial
  • Muud nimed
    425-1026-5
  • Orientatsioon
    Side View
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 60° Radial
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    50mA
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41M/54

GL41M/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL453E00000F

GL453E00000F

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Kirjeldus:

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41Y/1

GL41Y/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
GL4910JE000F

GL4910JE000F

Kirjeldus: EMITTER IR 850NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GL41T-E3/96

GL41T-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
GL4800E0000F

GL4800E0000F

Kirjeldus:

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL480

GL480

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL480E00000F

GL480E00000F

Kirjeldus:

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL480QE0000F

GL480QE0000F

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi