Kodu > Tooted > Optoelektroonika > Infrapuna-, UV- ja nähtav kiirgustihedus > GL4100
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
967345GL4100 piltSharp Microelectronics

GL4100

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GL4100
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Lainepikkus
    950nm
  • Pinge - edasi (Vf) (tüüp)
    1.2V
  • Vaatenurk
    180°
  • Tüüp
    Infrared (IR)
  • Seeria
    -
  • Radiatiivne intensiivsus (Ie) Min @ If
    -
  • Pakend
    -
  • Pakett / kott
    Radial
  • Muud nimed
    425-1024-5
  • Orientatsioon
    Side View
  • Töötemperatuur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Infrared (IR) Emitter 950nm 1.2V 50mA 180° Radial
  • Praegune - DC edasi (kui) (max)
    50mA
GL41D/54

GL41D/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41B/54

GL41B/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41A/54

GL41A/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41B-E3/96

GL41B-E3/96

Kirjeldus:

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

Kirjeldus:

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41G/54

GL41G/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

Kirjeldus:

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL41A-E3/96

GL41A-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
GL4100E0000F

GL4100E0000F

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi