Kodu > Tooted > Optoelektroonika > Laserdioodid, moodulid > GH06550B2B
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
4306958GH06550B2B piltSharp Microelectronics

GH06550B2B

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GH06550B2B
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    LASER DIODE 654NM 50MW TO18
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Lainepikkus
    654nm
  • Pinge - sisend
    2.6V
  • Seeria
    -
  • Võimsus (W)
    50mW
  • Pakett / kott
    Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Muud nimed
    425-1807
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    Laser Diode 654nm 50mW 2.6V 80mA Radial, Can, 3 Lead (5.6mm, TO-18)
  • Praegune hindamine
    80mA
IF-HN20

IF-HN20

Kirjeldus: LASER DIODE 633NM 2.5MW HOUSED

Tootjad: Industrial Fiber Optics, Inc.
Laos
SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

SPL BZ94-40-7 (957,5 +/-2NM)

Kirjeldus: BARE LASER BAR

Tootjad: OSRAM Opto Semiconductors, Inc.
Laos
015294

015294

Kirjeldus: LASER MODULE 642NM 40MW

Tootjad: Excelitas Technologies
Laos
GH04P21A2GE

GH04P21A2GE

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 105MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
DM80-01-1-8990-3-LC

DM80-01-1-8990-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1579NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
GH0358821MA6N

GH0358821MA6N

Kirjeldus: CAP CER 820PF 50V X7R NONSTND

Tootjad: AVX Corporation
Laos
GH0781JA2C

GH0781JA2C

Kirjeldus: LASER DIODE 784NM 120MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
DM200-01-1-9220-0-LC

DM200-01-1-9220-0-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1559NM 1.995MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
GH06560B2C

GH06560B2C

Kirjeldus: LASER DIODE 658NM 60MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GH04125A2A

GH04125A2A

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 130MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GH06507B2A

GH06507B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 7MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
DM80-01-3-9260-3-LC

DM80-01-3-9260-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1557NM 2.511MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
DM80-01-1-9580-3-LC

DM80-01-1-9580-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1531NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
GH06510B2A

GH06510B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 654NM 10MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GH04020B2A

GH04020B2A

Kirjeldus: LASER DIODE 406NM 20MW TO18

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
VLM-650-01 LPA

VLM-650-01 LPA

Kirjeldus: LASER DIODE 650NM 3MW 10.4MM DIA

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
VLM-520-51 LPT

VLM-520-51 LPT

Kirjeldus: LASER DIODE 520NM 1MW 8MM DIA

Tootjad: Quarton, Inc.
Laos
MM6405I

MM6405I

Kirjeldus: LASER DIODE 640NM 5MW 6.4MM DIA

Tootjad: US-Lasers, Inc.
Laos
DM80-01-1-9520-3-LC

DM80-01-1-9520-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1536NM 5.011MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos
DM80-01-3-8980-3-LC

DM80-01-3-8980-3-LC

Kirjeldus: LASER DIODE 1580NM 2.511MW

Tootjad: Finisar Corporation
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi