Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > R6031022PSYA
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
99729

R6031022PSYA

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$82.628
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    R6031022PSYA
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    2.75V @ 800A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    1000V
  • Pakkuja seadme pakett
    DO-205AB, DO-9
  • Kiirus
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seeria
    -
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    500ns
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -45°C ~ 150°C
  • Paigaldus tüüp
    Chassis, Stud Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 1000V 220A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    50mA @ 1000V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    220A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6030MNX

R6030MNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6030ENX

R6030ENX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6030KNX

R6030KNX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi