Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > JAN1N5552
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
2452536

JAN1N5552

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
132+
$7.733
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    JAN1N5552
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.2V @ 9A
  • Pinge - DC reverse (Vr) (max)
    600V
  • Kiirus
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seeria
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    2µs
  • Pakend
    Bulk
  • Pakett / kott
    B, Axial
  • Muud nimed
    1086-2098
    1086-2098-MIL
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode tüüp
    Standard
  • Täpsem kirjeldus
    Diode Standard 600V 3A Through Hole
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1µA @ 600V
  • Jooksev - keskmine parandatud (Io)
    3A
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -
JAN1N5546D-1

JAN1N5546D-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5554

JAN1N5554

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546BUR-1

JAN1N5546BUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5611

JAN1N5611

Kirjeldus: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5551

JAN1N5551

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5610

JAN1N5610

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
JAN1N5555

JAN1N5555

Kirjeldus: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5556

JAN1N5556

Kirjeldus: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5558

JAN1N5558

Kirjeldus: TVS DIODE 175V 265V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546C-1

JAN1N5546C-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546B-1

JAN1N5546B-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546DUR-1

JAN1N5546DUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5550

JAN1N5550

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5546CUR-1

JAN1N5546CUR-1

Kirjeldus: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Tootjad: Microsemi
Laos
JAN1N5553

JAN1N5553

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi