Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT38F50J
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
4411287APT38F50J piltMicrosemi

APT38F50J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
20+
$28.037
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT38F50J
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 28A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    355W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8800pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    220nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 38A (Tc) 355W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    38A (Tc)
APT36GA60B

APT36GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38M50J

APT38M50J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 38A ISOTOP

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38N60SC6

APT38N60SC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50S

APT37F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT39F60J

APT39F60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35SM70B

APT35SM70B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4012BVRG

APT4012BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50B

APT37F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4012BVR

APT4012BVR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD

Tootjad: Microsemi
Laos
APT4016BVRG

APT4016BVRG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35SM70S

APT35SM70S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37M100B2

APT37M100B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT39M60J

APT39M60J

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 42A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38N60BC6

APT38N60BC6

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80B2

APT38F80B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT38F80L

APT38F80L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 41A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37M100L

APT37M100L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi