Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT - moodulid > APT35GP120J
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
29834APT35GP120J piltMicrosemi

APT35GP120J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$38.62
10+
$35.721
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT35GP120J
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 1200V 64A 284W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    1200V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 7®
  • Võimsus - maks
    284W
  • Pakett / kott
    ISOTOP
  • Muud nimed
    APT35GP120JMI
    APT35GP120JMI-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Cies) @ Vce
    3.24nF @ 25V
  • Sisend
    Standard
  • IGBT tüüp
    PT
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Module PT Single 1200V 64A 284W Chassis Mount ISOTOP®
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    250µA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    64A
  • Konfiguratsioon
    Single
APT35GP120JDQ2

APT35GP120JDQ2

Kirjeldus: IGBT 1200V 64A 284W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT34N80B2C3G

APT34N80B2C3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GA90B

APT35GA90B

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50S

APT37F50S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GT120JU3

APT35GT120JU3

Kirjeldus: IGBT 1200V 55A 260W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35SM70B

APT35SM70B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GT120JU2

APT35GT120JU2

Kirjeldus: IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60BD15

APT36GA60BD15

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GP120BG

APT35GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36N90BC3G

APT36N90BC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35SM70S

APT35SM70S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 700V D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GA90BD15

APT35GA90BD15

Kirjeldus: IGBT 900V 63A 290W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 34A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GN120BG

APT35GN120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT37F50B

APT37F50B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 37A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35DL120HJ

APT35DL120HJ

Kirjeldus: DIODE MODULE 1.2KV SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT34M60B

APT34M60B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT36GA60B

APT36GA60B

Kirjeldus: IGBT 600V 65A 290W TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GN120L2DQ2G

APT35GN120L2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 94A 379W TO264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 96A 543W TMAX

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi