Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > APT25M100J
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
3317765APT25M100J piltMicrosemi

APT25M100J

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$32.74
10+
$30.286
30+
$27.831
100+
$25.866
250+
$23.738
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT25M100J
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    ISOTOP®
  • Seeria
    POWER MOS 8™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    330 mOhm @ 18A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    545W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Chassis Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    9835pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    305nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    1000V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)
APT25GR120SD15

APT25GR120SD15

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT26F120L

APT26F120L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 27A TO-264

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GR120BD15

APT25GR120BD15

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25SM120B

APT25SM120B

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GT120BRG

APT25GT120BRG

Kirjeldus: IGBT 1200V 54A 347W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT26M100JCU3

APT26M100JCU3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G

Kirjeldus: IGBT 900V 72A 417W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GR120B

APT25GR120B

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT27GA90BD15

APT27GA90BD15

Kirjeldus: IGBT 900V 48A 223W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25SM120S

APT25SM120S

Kirjeldus: POWER MOSFET - SIC

Tootjad: Microsemi
Laos
APT26M100JCU2

APT26M100JCU2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GP90BG

APT25GP90BG

Kirjeldus: IGBT 900V 72A 417W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT27HZTR-G1

APT27HZTR-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
APT26F120B2

APT26F120B2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GR120S

APT25GR120S

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

Kirjeldus: TRANS NPN 450V 0.8A TO92

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
APT28F60B

APT28F60B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT25GR120SSCD10

APT25GR120SSCD10

Kirjeldus: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi