Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - IGBT-d - üksikud > APT150GN60B2G
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5550007APT150GN60B2G piltMicrosemi

APT150GN60B2G

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30+
$17.911
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    APT150GN60B2G
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IGBT 600V 220A 536W SOT227
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    600V
  • Vce (sees) (Max) @ Vge, Ic
    1.85V @ 15V, 150A
  • Testimise tingimus
    400V, 150A, 1 Ohm, 15V
  • Td (sisse / välja) @ 25 ° C
    44ns/430ns
  • Switching Energy
    8.81mJ (on), 4.295mJ (off)
  • Seeria
    -
  • Võimsus - maks
    536W
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3 Variant
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    18 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendi tüüp
    Standard
  • IGBT tüüp
    Trench Field Stop
  • Väravad
    970nC
  • Täpsem kirjeldus
    IGBT Trench Field Stop 600V 220A 536W Through Hole
  • Praegune - kollektori impulss (Icm)
    450A
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    220A
APT13GP120KG

APT13GP120KG

Kirjeldus: IGBT 1200V 41A 250W TO220

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GT120JR

APT150GT120JR

Kirjeldus: IGBT 1200V 170A 830W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14F100S

APT14F100S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14M100S

APT14M100S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14050JVFR

APT14050JVFR

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1400V 23A SOT-227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100KG

APT15D100KG

Kirjeldus:

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100BG

APT15D100BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14M100B

APT14M100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14F100B

APT14F100B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GN120J

APT150GN120J

Kirjeldus: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GN60JDQ4

APT150GN60JDQ4

Kirjeldus: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT14M120B

APT14M120B

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D120BG

APT15D120BG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO247

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
APT150GN60J

APT150GN60J

Kirjeldus: IGBT 600V 220A 536W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GN120JDQ4

APT150GN120JDQ4

Kirjeldus: IGBT 1200V 215A 625W SOT227

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D120BCTG

APT15D120BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100BHBG

APT15D100BHBG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT15D100BCTG

APT15D100BCTG

Kirjeldus: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT13GP120BG

APT13GP120BG

Kirjeldus: IGBT 1200V 41A 250W TO247

Tootjad: Microsemi
Laos
APT150GN60LDQ4G

APT150GN60LDQ4G

Kirjeldus: IGBT 600V 220A 536W TO-264L

Tootjad: Microsemi
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi