Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6101831

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$68.89
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.1V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - Mobile LPDDR4
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Muud nimed
    MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR-ND
    MT53B512M64D4PV-062WTES:CTR
  • Töötemperatuur
    -30°C ~ 85°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    32Gb (512M x 64)
  • Mäluliides
    -
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32Gb (512M x 64) 1600MHz
  • Kellade sagedus
    1600MHz
MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

MT53B512M64D8HR-053 WT:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR

MT53B512M64D4NZ-062 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR

MT53B512M64D4PV-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4TX-053 WT:C

MT53B512M64D4TX-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-053 WT:C

MT53B512M64D4PV-053 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR

MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

MT53B512M64D4TX-053 WT:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NZ-062 WT:D

MT53B512M64D4NZ-062 WT:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D8HR-053 WT:B

MT53B512M64D8HR-053 WT:B

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-062 WT:C

MT53B512M64D4PV-062 WT:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR

MT53B512M64D4NW-062 WT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

MT53B512M64D4NZ-062 WT ES:D

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C

MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi