Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > MT47H256M8THN-3:H TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
4533740

MT47H256M8THN-3:H TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$26.852
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    MT47H256M8THN-3:H TR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    63-FBGA (8x10)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    63-TFBGA
  • Muud nimed
    MT47H256M8THN-3:H TR-ND
    MT47H256M8THN-3:HTR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (256M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 333MHz 450ps 63-FBGA (8x10)
  • Kellade sagedus
    333MHz
  • Baasosa number
    MT47H256M8
  • Juurdepääsuaeg
    450ps
MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-25E:M TR

MT47H256M8THN-25E:M TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8EB-3:C TR

MT47H256M8EB-3:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8EB-25E:C TR

MT47H256M8EB-25E:C TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-25E:H

MT47H256M8THN-25E:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8EB-3:C

MT47H256M8EB-3:C

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-3:H

MT47H256M8THN-3:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-5E:D TR

MT47H32M16BN-5E:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-25E IT:H

MT47H256M8THN-25E IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-25E:M

MT47H256M8THN-25E:M

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-3 IT:H

MT47H256M8THN-3 IT:H

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BT-37E:A TR

MT47H32M16BT-37E:A TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H256M8THN-25E:H TR

MT47H256M8THN-25E:H TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos
MT47H32M16BN-3:D TR

MT47H32M16BN-3:D TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA

Tootjad: Micron Technology
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi