Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > IMB9AT110
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6559349IMB9AT110 piltLAPIS Semiconductor

IMB9AT110

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.116
6000+
$0.109
15000+
$0.102
30000+
$0.094
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    IMB9AT110
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    SMT6
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    47 kOhms
  • Takisti - alus (R1)
    10 kOhms
  • Võimsus - maks
    300mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SC-74, SOT-457
  • Muud nimed
    IMB9AT110-ND
    IMB9AT110TR
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    250MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    500nA
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA
  • Baasosa number
    MB9
IMB3AT110

IMB3AT110

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMB5AT108

IMB5AT108

Kirjeldus: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
IMBD4448-E3-18

IMBD4448-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMB4AT110

IMB4AT110

Kirjeldus: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
IMBD4448-G3-08

IMBD4448-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMB36656C

IMB36656C

Kirjeldus: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Tootjad: Crouzet
Laos
IMB36656M12

IMB36656M12

Kirjeldus: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Tootjad: Crouzet
Laos
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMBD4148-E3-08

IMBD4148-E3-08

Kirjeldus:

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMBD4448-G3-18

IMBD4448-G3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
IMB36654M8

IMB36654M8

Kirjeldus: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Tootjad: Crouzet
Laos
IMB36654C

IMB36654C

Kirjeldus: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Tootjad: Crouzet
Laos
IMB7AT108

IMB7AT108

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
IMB36654M12

IMB36654M12

Kirjeldus: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Tootjad: Crouzet
Laos
IMB36656M8

IMB36656M8

Kirjeldus: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Tootjad: Crouzet
Laos
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi