Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > 70V657S10DR
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
243782570V657S10DR piltIDT (Integrated Device Technology)

70V657S10DR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    70V657S10DR
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    10ns
  • Pinge - varustus
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnoloogia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Pakkuja seadme pakett
    208-PQFP (28x28)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    208-BFQFP
  • Muud nimed
    IDT70V657S10DR
    IDT70V657S10DR-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1.125Mb (32K x 36)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    SRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
  • Baasosa number
    IDT70V657
  • Juurdepääsuaeg
    10ns
70V657S12BFGI

70V657S12BFGI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10BFG8

70V657S10BFG8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10BC8

70V657S10BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V639S15BF

70V639S15BF

Kirjeldus: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BC

70V657S12BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BCI

70V657S12BCI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BCGI

70V657S12BCGI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V639S15BF8

70V639S15BF8

Kirjeldus: IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V639S15PRF

70V639S15PRF

Kirjeldus: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BF8

70V657S12BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10DRG

70V657S10DRG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10BC

70V657S10BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BF

70V657S12BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BC8

70V657S12BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V639S12PRFI8

70V639S12PRFI8

Kirjeldus: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10BCG

70V657S10BCG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10DRG8

70V657S10DRG8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S12BCI8

70V657S12BCI8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V639S15PRF8

70V639S15PRF8

Kirjeldus: IC SRAM 2.25M PARALLEL 128TQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V657S10BFG

70V657S10BFG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi