Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > 70V3579S4BC
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
294388870V3579S4BC piltIDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4BC

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
12+
$72.332
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    70V3579S4BC
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Sisaldab plii / RoHS mittevastavat
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tehnoloogia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Pakkuja seadme pakett
    256-CABGA (17x17)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    256-LBGA
  • Muud nimed
    IDT70V3579S4BC
    IDT70V3579S4BC-ND
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    4 (72 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1.125Mb (32K x 36)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    SRAM
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • Baasosa number
    IDT70V3579
  • Juurdepääsuaeg
    4.2ns
70V3579S4BF8

70V3579S4BF8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BCGI

70V3579S5BCGI

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6BF

70V3569S6BF

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BFG

70V3579S4BFG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BF

70V3579S4BF

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BC8

70V3579S5BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4DR

70V3579S4DR

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S5BC

70V3579S5BC

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6BFG

70V3569S6BFG

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208FPBGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4DRG

70V3579S4DRG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BC8

70V3579S4BC8

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6BF8

70V3569S6BF8

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S5DRI

70V3569S5DRI

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6BC8

70V3569S6BC8

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S5DR

70V3569S5DR

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6DRI

70V3569S6DRI

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6BC

70V3569S6BC

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S5BFI8

70V3569S5BFI8

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3569S6DR

70V3569S6DR

Kirjeldus: IC SRAM 576K PARALLEL 208PQFP

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos
70V3579S4BCG

70V3579S4BCG

Kirjeldus: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Tootjad: IDT (Integrated Device Technology)
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi