Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP1M003A080FH
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
737239GP1M003A080FH piltGlobal Power Technologies Group

GP1M003A080FH

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GP1M003A080FH
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220F
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    32W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3 Full Pack
  • Muud nimed
    1560-1156-1
    1560-1156-1-ND
    1560-1156-5
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    696pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1L57

GP1L57

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Kirjeldus: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M004A090H

GP1M004A090H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
GP1L53V

GP1L53V

Kirjeldus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi