Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > SI4202DY-T1-GE3
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
2929716

SI4202DY-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.79
10+
$0.633
30+
$0.554
100+
$0.477
500+
$0.43
1000+
$0.407
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SI4202DY-T1-GE3
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 8A, 10V
  • Võimsus - maks
    3.7W
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    SI4202DY-T1-GE3TR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    710pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tüüp
    2 N-Channel (Dual)
  • FET funktsioon
    Logic Level Gate
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12.1A 3.7W Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    12.1A
SI4200-GM

SI4200-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI4200

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4210-A-IF-EVB

SI4210-A-IF-EVB

Kirjeldus: BOARD INTERFACE FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Kirjeldus:

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4206-BM

SI4206-BM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4205-EVB+F19

SI4205-EVB+F19

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI4205

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4210-E-KT-EVB

SI4210-E-KT-EVB

Kirjeldus: BOARD EMULATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4201-BM

SI4201-BM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4206-EVB

SI4206-EVB

Kirjeldus: BOARD EVAL FOR SI4206

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4210-D-GM

SI4210-D-GM

Kirjeldus: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4210-E-RF-EVB

SI4210-E-RF-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4210-EVB

SI4210-EVB

Kirjeldus: BOARD EVALUATION FOR SI4210

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4201-GM

SI4201-GM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
SI4205-BM

SI4205-BM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos
SI4200-BM

SI4200-BM

Kirjeldus: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

Tootjad: Energy Micro (Silicon Labs)
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi