Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > EPC2032ENGRT
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
5998264EPC2032ENGRT piltEPC

EPC2032ENGRT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
500+
$4.046
1000+
$3.524
2500+
$3.393
5000+
$3.263
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    EPC2032ENGRT
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 11mA
  • Vgs (max)
    +6V, -4V
  • Tehnoloogia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Pakkuja seadme pakett
    Die
  • Seeria
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 mOhm @ 30A, 5V
  • Voolukatkestus (max)
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    Die
  • Muud nimed
    917-EPC2032ENGRTR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1530pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 48A (Ta) Surface Mount Die
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    48A (Ta)
EPC2034ENGRT

EPC2034ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2036ENGRT

EPC2036ENGRT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2032ENGR

EPC2032ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031ENGR

EPC2031ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGRT

EPC2029ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGRT

EPC2030ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2033ENGRT

EPC2033ENGRT

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2035

EPC2035

Kirjeldus: TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2036

EPC2036

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 1A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2034

EPC2034

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2033ENGR

EPC2033ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030

EPC2030

Kirjeldus: MOSFET NCH 40V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2029ENGR

EPC2029ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2037

EPC2037

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI

Tootjad: EPC
Laos
EPC2032

EPC2032

Kirjeldus: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031ENGRT

EPC2031ENGRT

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2030ENGR

EPC2030ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2034ENGR

EPC2034ENGR

Kirjeldus: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2031

EPC2031

Kirjeldus: MOSFET NCH 60V 31A DIE

Tootjad: EPC
Laos
EPC2033

EPC2033

Kirjeldus: TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE

Tootjad: EPC
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi