Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - massi > ALD1102PAL
Küsi hinnapakkumist
Eesti Vabariik
6228700ALD1102PAL piltAdvanced Linear Devices, Inc.

ALD1102PAL

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$4.77
50+
$3.83
100+
$3.489
500+
$2.825
1000+
$2.383
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    ALD1102PAL
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 10µA
  • Pakkuja seadme pakett
    8-PDIP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270 Ohm @ 5V
  • Võimsus - maks
    500mW
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Muud nimed
    1014-1006
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    8 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    10pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • FET tüüp
    2 P-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET funktsioon
    Standard
  • Vooluallikas (Vdss)
    10.6V
  • Täpsem kirjeldus
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    -
ALD1102ASAL

ALD1102ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1102APAL

ALD1102APAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1105PBL

ALD1105PBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1101PAL

ALD1101PAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1105SBL

ALD1105SBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1102BPAL

ALD1102BPAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1106SBL

ALD1106SBL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1101ASAL

ALD1101ASAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1101BSAL

ALD1101BSAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1101SAL

ALD1101SAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1106PBL

ALD1106PBL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1103SBL

ALD1103SBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1102BSAL

ALD1102BSAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1101APAL

ALD1101APAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1102SAL

ALD1102SAL

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1107PBL

ALD1107PBL

Kirjeldus: MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1101BPAL

ALD1101BPAL

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1107SBL

ALD1107SBL

Kirjeldus: MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD110800APCL

ALD110800APCL

Kirjeldus: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos
ALD1103PBL

ALD1103PBL

Kirjeldus: MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

Tootjad: Advanced Linear Devices, Inc.
Laos

Review (1)

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi