TSMC paljastas 2025. aasta Põhja -Ameerika tehnoloogia sümpoosionil, et ettevõte peaks selle aasta teises pooles alustama N2 (2. taseme) kiipide masstootmist, mis on selle esimene tootmistehnoloogia, tuginedes Ring Gate'i (GAA) nanoshettide transistoridele.
See uus sõlm toetab arvukalt tooteid, mis käivitatakse järgmisel aastal, sealhulgas AMD järgmise põlvkonna EPYC "Veneetsia" CPU andmekeskuste jaoks, aga ka erinevad kliendile orienteeritud protsessorid, näiteks Apple'i nutitelefonide, tahvelarvutite ja personaalarvutite 2025 kiibid.Tänu Gaafet'ile (ümbritsev värava transistor) ja täiustatud võimsusele saavutab uus 2NM sõlm märkimisväärse energiasäästu, parandades samal ajal jõudlust ja transistori tihedust.Lisaks loodetakse järgmisel aastal ka järgnevaid protsessitehnoloogiaid A16 ja N2P.
N2 on TSMC uus protsessitehnoloogia, mis saavutab nn täieliku sõlme parendamise.Võrreldes N3E -ga parandab see jõudlust 10–15%, vähendab energiatarbimist 25–30%ja suurendab transistori tihedust 15%.TSMC väitis, et N2 transistori jõudlus on sihtmärgi lähedal, keskmiselt üle 90% 256 MB SRAM-mooduli puhul, mis näitab, et protsess on jõudnud küpsele tasemele, kuna N2 on järk-järgult massiliselt toodetud.
N2 on TSMC esimene sõlm GAA Nanosheti transistoride vastuvõtmiseks.Kanalit 360 kraadi ümbritseva värava tõttu (N2 kanali kuju on mitu horisontaalset nanoketti), eeldatakse, et see tehnoloogia parandab jõudlust ja vähendab leket.See struktuur suudab maksimeerida kanali elektrostaatilist juhtimist, minimeerides seeläbi transistori suurust, mõjutamata jõudlust või energiatarbimist, saavutades lõpuks kõrgema transistori tiheduse.
TSMC N2 tootmisprotsessis peaks eeldatavasti masstootmist selle aasta teisel poolel ja see toetab arvukalt järgmisel aastal käivitatud tooteid, sealhulgas AMD järgmise põlvkonna EPYC "Veneetsia" CPU andmekeskuste jaoks ja erinevad kliendile orienteeritud protsessorid, näiteks Apple'i nutitelefonide, tahvelarvutite ja personaalarvutite jaoks Apple'i 2025 SOC.
